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【2h】

Improvement on Turn-on Speed of Substrate-Triggered SCR Device by Using Dummy-Gate Structure for On-Chip ESD Protection

机译：利用虚拟门结构实现片上EsD保护，提高衬底触发可控硅器件的导通速度

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Kuo-chun Hsu; Ming-dou Ker;
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年度 2015
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1. SCR Device Fabricated With Dummy-Gate Structure to Improve Turn-On Speed for Effective ESD Protection in CMOS Technology [J] . Ming-Dou Ker, Kuo-Chun Hsu IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing . 2005,第2期

机译：采用虚拟门结构制造的SCR器件可提高开启速度，从而在CMOS技术中提供有效的ESD保护
2. Latchup-free ESD protection design with complementary substrate-triggered SCR devices [J] . Ming-Dou Ker, Kuo-Chun Hsu IEEE Journal of Solid-State Circuits . 2003,第8期

机译：无闩锁的ESD保护设计，带有互补的衬底触发SCR器件
3. A novel DTSCR with a variation lateral base doping structure to improve turn-on speed for ESD protection [J] . Liu Jizhi, Liu Zhiwei, Jia Ze, Journal of Semiconductors . 2014,第6期

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4. Complementary substrate-triggered SCR devices for on-chip ESD protection circuits [C] . Ming-Dou Ker, Kuo-Chun Hsu . 2002

机译：用于片上ESD保护电路的互补衬底触发SCR器件
5. Design and characterization of novel devices for new generation of electrostatic discharge (ESD) protection structures [D] . Salcedo, Javier A. 2006

机译：新一代静电放电（ESD）保护结构的新型器件的设计和特性
6. Robust and Latch-Up-Immune LVTSCR Device with an Embedded PMOSFET for ESD Protection in a 28-nm CMOS Process [O] . Ruibo Chen, Hongxia Liu, Wenqiang Song, 2020

机译：具有嵌入式PMOSFET的鲁棒和锁定的免疫LVTSCR器件用于28 nm CMOS过程中的ESD保护
7. Optimization on MOS-Triggered SCR Structures for On-Chip ESD Protection [O] . Shih-Hung Chen, Ming-Dou Ker 2009

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